삼성전자 반도체 공장의 설계도 등 자료를 빼내 중국에 ‘복제 공장’을 지으려 시도한 일당이 한꺼번에 재판을 받았다. 삼성전자 전직 임원이 주도한 이번 범행으로만 최대 수조원의 피해가 발생한 것으로 알려졌다.

12일 수원지방검찰청 방위산업·산업기술범죄수사부는 전 삼성전자 상무, 하이닉스 부사장이었던 A씨를 산업기술보호법 및 부정경쟁방지법 위반 혐의로 구속기소했다. 이번 범행에 가담한 6명의 공범에 대해서도 불구속 상태로 재판에 넘겼다.

A씨는 삼성전자에서 18년, SK하이닉스에서 10년 총 28년에 걸쳐 국내 반도체 대기업에서 임원으로 재직한 반도체 분야 전문가이다. 그는 2018년 중국 청두시에서 자본 약 4600억 원을 끌어와 중국 법인인 B사를 세우고 대만 전자제품업체인 C사로부터 8조원 대 투자 역장을 받아 싱가포르에 반도체업체인 D사를 설립했다. 이후 고액 연봉을 앞세워 삼성전자와 SK하이닉스 출신인 반도체 인력 200여명을 영입했다.

회사 자본과 인력확보를 마친 A씨는 곧바로 중국 시안에 삼성전자 반도체 공장 복제판 건설에 돌입했다. 삼성전자 반도체 공장의 설계도면, 클린룸(BED) 조성조건, 공정배치도 등을 불법으로 획득해 생산기지 건설에 활용한 것이다. D사 임직원들도 이 과정에 적극적으로 참여한 것으로 알려졌다. 이 설계자료는 삼성전자가 30여년의 시행착오 끝에 얻은 영업 비밀이다.

검찰은 해당 자료들의 가치가 최소 3000억 원, 최대 수조원에 이를 것이라고 보고 있다. 설계도면의 작성비용만 최소 1428억 원, 최적의 공정 배치도 도출 비용은 최소 1360억 원, BED 기술 개발 비용은 최소 124억 원으로 추산했다. 특히 공정배치도와 BED는 30㎚(나노미터·1㎚=10억 분의 1m)이하 D램 낸드플레시 제조기술로, 국가핵심기술 중 하나이다.

수원지검 관계자는 “단편적인 기술 유출이 아니라 반도체 공장을 통째로 복제해 중국에 반도체 제조 및 양산을 시도했다”며 “국내 반도체 산업 근간을 흔들어 경제 안보에 엄청난 악영향을 미칠 수 있는 중대한 범죄 행위”라고 지적했다. 이에 “기업의 생존을 위헙하고 국가경제에 치명적인 손해를 끼칠 수 있는 영업비밀 및 국가핵심기술 침해행위에 엄정히 대응할 것”이라고 덧붙였다.